前沿科金社2026年05月14日 11:25消息，A股首只存储核弹ETF上市即吸金百亿，创国内最快破纪录奇迹。
近期存储芯片板块的猛烈上涨，正催生一场罕见的资本狂潮——一只成立尚不足6周的ETF，已跃升为华尔街有史以来最成功的基金发行案例之一。
据公开数据，Roundhill存储ETF（代码：DRAM）自4月2日正式上市以来，仅用约5周时间，资产管理规模便突破70亿美元大关。这一增速不仅远超同期多数新发ETF，更一举超越2024年贝莱德比特币现货ETF在上市首月的吸金速度，成为有记录以来同期资金流入最快的主动管理型ETF产品。
该ETF聚焦全球存储芯片产业链核心企业，尤其以动态随机存取存储器（DRAM）和NAND闪存制造商为主力标的。在人工智能驱动的数据中心建设持续加速、服务器内存需求结构性攀升、以及行业库存周期见底回升等多重因素共振下，存储芯片正经历近五年来最显著的供需反转。市场普遍预期，本轮景气上行周期或持续至2025年下半年，而DRAM ETF恰好为投资者提供了一把精准切入整个细分赛道的“行业钥匙”。
美国“ETF趋势”网站首席投资官Dave Nadig直言：“人们现在是毫不犹豫地冲刺进场，这股动能简直疯狂。”这一判断并非夸张——数据显示，该ETF仅用10个交易日即实现首笔10亿美元资金净流入；而在5月10日（上周五），全球存储股集体爆发当日，单日净流入额再度高达10亿美元，创同类产品历史单日纪录。
更值得关注的是散户力量的集中释放。追踪零售交易行为的Vanda Research指出，5月13日（本周一），个人投资者单日买入DRAM ETF达5500万美元，创下该基金上市以来散户净流入最高值。这一数字甚至超过同日散户对英伟达等明星个股的净买入额。这表明，在当前高波动、高主题性的市场环境下，越来越多散户正从“押注单一龙头”转向“布局整条产业主线”，反映出投资逻辑正从个股博弈向行业β迁移。
韩国敞口无疑是引爆本轮认购热潮的关键变量。不同于主流半导体ETF多集中于美国本土设计与设备厂商，DRAM ETF以约67%的权重覆盖了三星电子（20.13%）、SK海力士（27.3%）和美光科技（27.03%）三大全球存储巨头——其中前两者合计占比近半，且均为韩国上市公司。这意味着，全球投资者首次可通过一只在美国上市、以美元计价、T+0交易的ETF，直接、高效、合规地参与全球存储芯片定价中枢的核心资产。这种“纯存储+高韩股敞口”的稀缺性配置价值，在当前地缘政治与供应链重构背景下尤为凸显。
事实上，这一需求早有端倪。此前，大量国际资金只能借道iShares安硕韩国ETF（EWY）间接持有三星与海力士，导致该ETF资产规模在过去一年内从约30亿美元飙升至近230亿美元。Roundhill策略师Thomas DiFazio一针见血地指出：“在绝大多数半导体ETF基准中，美光几乎是唯一一家被纳入的存储芯片制造商。”换言之，DRAM ETF填补了一个长期存在的结构性空白——它不是又一只泛泛而谈的“科技ETF”，而是真正意义上首只以存储技术为唯一锚点、横跨美韩亚三地核心产能的垂直型工具。
目前，该ETF正朝着100亿美元AUM里程碑全力冲刺。若按当前日均约1.5亿美元的净流入节奏推算，突破百亿关口或将在未来两周内实现。作为参照，贝莱德比特币现货ETF虽同样引发轰动，但其达成百亿美元规模耗时7周。DRAM ETF的加速度，既印证了存储芯片在AI基础设施浪潮中的底层战略地位，也折射出全球资本对“硬科技主线”配置效率的极致追求——当行业拐点清晰、龙头格局稳固、估值处于修复初期，市场用真金白银投票的速度，往往比分析师报告快得多。
